新疆允许增量配电网接入各类电源 加快微电网建设有关事宜

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根据电子结构分析指导，允许源加有关进一步拟合出Cs2AgPdCl5、Cs2AgPdBr5和Cs2AgPtCl5的光学带隙范围是1.33~1.77eV。作者从岩盐矿构型（零维）出发，增量对B位置阳离子重排构建了柱状（一维）和层状（二维）排列的双钙钛矿结构模型，增量并对它们的热力学稳定性和电子性质进行DFT理论计算评估。

而排列变成柱状和层状排列后导带沿着同种八面体的链或者层的方向变得非常分散（带宽分别为3.91和4.44eV），配电使得计算的带隙急剧降低至1.77和1.20eV。图4.Cs2AgPdCl5、网接Cs2AgPdBr5和Cs2AgPtCl5的能带结构。作为第一步，入各该文优先尝试相对稳定的B位离子柱状排列的卤化物双钙钛矿的设计与合成。

但是从电子维度的角度，类电A2B(I)B(III)X6型双钙钛矿因其B(I)和B(III)位阳离子的前线轨道之间存在能量不匹配（比如Cs2NaSbCl6）或对称性不匹配（比如Cs2AgBiCl6）问题导致其电子维度是零维或者准零维，类电进而使得贡献带边的轨道连接性能较差。                             电子结构分析看出（图4），快微Cs2AgPdCl5和Cs2AgPdBr5是间接带隙，快微而Cs2AgPtCl5间接带隙和直接带隙能量几乎没有差异，说明B位离子的元素组合可以调控柱状双钙钛矿的电子结构。

以Cs2NaSbCl6为例，电网岩盐矿构型时带隙是3.90eV，其导带相对局域（带宽为2.02eV）。

理论计算表明，建设再拓展到更多的元素组合时，建设同种八面体的排列方式变成柱状（一维）和层状（二维）构型时电子维度相应的也保持了这种1D和2D的电子维度。该工作是理论计算与实验合成相结合的模范案例，事宜提出的新型卤化物双钙钛矿结构原型有望作为一个新的平台来探索更多的钙钛矿半导体材料。

新疆图1.B位阳离子排列对A2B(I)B(III)X6型双钙钛矿材料的电子结构和热力学稳定性的影响。此外，允许源加有关这些双钙钛矿材料表现出优异的热稳定性和空气稳定性。

图5.Cs2AgPdCl5、增量Cs2AgPdBr5和Cs2AgPtCl5的（a,b）光学带隙;（c）热稳定性和（d）空气稳定性。通过对称性分析，配电作者提出一种阴离子空位有序的B位阳离子柱状排列的双钙钛矿A2B(I)B(II)X5模型，配电理论计算表明B位离子之间低的电荷差异有效提升了这种模型的热力学稳定性。